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Resistor SMD 3 Dígitos
Resistor SMD 3 Dígitos
3 Digits SMD-resistor -
Sublinhado
Sublinhado
Underline -
Para resistores com 1% de tolerância foi criada uma nova codificação conhecida por EIA-90.
Para resistores com 1% de tolerância foi criada uma
nova codificação conhecida por EIA-90.For 1% tolerance resistors, there is a
new codification known as EIA-90. -
Resistor SMD 4 Dígitos
Resistor SMD 4 Dígitos
4 Digits SMD-resistor -
Indutores
Indutores
Inductors -
Recurso em Desenvolvimento, mantenha seu aplicativo sempre atualizado para recebe-lo assim que for criado.
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Res. Série e Paralelo
Res. Série e Paralelo
Series and Parallel Resistors -
Reatância
Reatância
Electrical reactance -
Ressonância
Ressonância
Resonance -
Filtros
Filtros
Filters -
Divisor de Tensão
Divisor de Tensão
Voltage Divider -
Carga de Capacitor
Carga de Capacitor
Capacitor Charge -
Amplificador Operacional
Amplificador Operacional
Operational Amplifier -
Circuito com CI 555
Circuito com CI 555
Circuit with IC 555 -
Cálculos de Potência
Cálculos de Potência
Electric Power Calculations -
Transf. Estrela-Triângulo
Transf. Estrela-Triângulo
Wye-Delta Transformation -
Frequência
Frequência
Frequency -
Portas Lógicas
Portas Lógicas
Logic Gates -
Transistor FET
Transistor FET
FET -
FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. Composição. Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro, que são substâncias ´´dopantes`` (isto é, que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germânio são usados somente para o controle de grandes potências. Polarização. Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarização, sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente). Categorias. O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias: MOSFET tipo Intensificação; MOSFET tipo Depleção. Corte em seção de um MOSFET tipo-n Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.
FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
Composição.
Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro, que são substâncias ´´dopantes`` (isto é, que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são os mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germânio são usados somente para o controle de grandes potências.
Polarização.
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarização, sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado à entrada e saída simultaneamente), porta comum (porta ligada à entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado à entrada e saida simultaneamente).
Categorias.
O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:
MOSFET tipo Intensificação;
MOSFET tipo Depleção.
Corte em seção de um MOSFET tipo-n
Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.